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2024 - 08 - 07
雷達料位計在電廠中的應用∵火力發電廠原料倉(煤灰)高粉塵和液位計水汽的凝結現象。一直是物/液位測量的重大難題,本文主要詳細闡述了RBRDZB-71-6-C雷達料位計針對這一復雜工況提出了解決方案。一.說明我國是個產煤大國,以煤炭為原料的行業比較多。如煤化工,煤制油,煤發電,其中煤發電的主要燃料就是煤,在電廠發電過程中是由煤燃燒水冷壁帶動汽輪機發電,最終水變成高溫水。煤燃燒變成灰。∴發電廠中的煤水灰監測測量顯得尤為重要。標志著發電的穩定性,保證火力電廠的穩定運行。為了提高電廠的發電效率,以及穩定的自動化運行水平,在生產過程中,煤/灰在輸送過程中產生的高粉塵,水經過加熱流轉過程中產生的凝結現象。給測量帶來了更高的要求。雷達料液位計RBRDZB-71-6-C可以根據現場的介質,軟件自帶增益功能,根據現場介質的介電常數系統自動調節。可以穿透高粉塵,以及在水蒸氣凝結雷達天線的情況下,依然穩定運行。二.在選擇電廠物液位傳感器時,需要考慮以下幾個因素使用接觸式傳感器、非接觸傳感器?接觸型重錘料位、導波雷達。非接觸型超聲波、激光,雷達。都需要一些場景限制。如選擇不當,要么維護量大。要么達不到測量效果。例如電廠中的料位測量煤、灰在輸送過程中料面形狀為不規則性,在進料卸料過程中料面形狀為凹凸狀并帶有大量粉塵。重錘物位計測量。(屬于間歇式測量)不間斷的利用重錘上下接觸測量,精度低,經常出現埋錘斷纜現象,...
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2019 - 07 - 15
1、測量原理超聲波物位計的工作原理是由換能器(探頭)發出超聲波脈沖遇到被測介質表面被反射回來,部分反射回波被同一換能器接收,轉換成電信號。超聲波脈沖以聲波速度傳播,從發射到接收到超聲波脈沖所需時間間隔與換能器到被測介質表面的距離成正比。此距離值S與聲速C和傳輸時間T之間的關系可以用公式表示:                    S=C×T/2由于發射的超聲波脈沖有一定的寬度,使得距離換能器近的小段區域內的反射波與發射波重迭,無法識別,不能測量其距離值,這個區域稱為測量盲區,盲區的大小與超聲波液位計的工作頻率有關。2、特點采用了先進的微處理器獨特的回波處理技術虛假回波存儲功能內置溫度補償波束較小調試標定簡單
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2020 - 05 - 20
各位朋友們,大家好!2020520 愿天下有情人終成眷屬,感謝新老客戶的信任,一路陪伴。我謹代表個人和全體員工對長期以來關注、支持公司發展的客戶、供應商以及社會各界朋友表示誠摯的問候和衷心的感謝!       艱難困苦,玉汝于成。北京精誠瑞博儀表有限公司自2013年成立以來,從創業之初的舉步維艱、默默無聞,到如今實現物位儀表和無線采集一體產業化、專業化和規模化,躋身國內物位儀表行業前沿,無論在技術創新、系統服務、內部管理上,都實現了從質變到量變的突破與發展。       速生速朽的互聯網時代,儀表行業也同樣風起云涌、瞬息萬變。因此,過硬的產品質量、專業的選型指導、便捷的貨期、完善的售前、售中、售后一條龍服務,是保證精誠瑞博在激烈的行業競爭中賴以生存和發展的動力和源泉。     創業至今,精誠瑞博一直懷著對產品、對質量的敬畏之情,一路如履薄冰、一路碩果累累,越來越多的新客戶信任精誠瑞博,越來越多的老客戶依賴精誠瑞博。欣喜之余,我們更是重任在肩。    堅持做好每一項產品、堅持提供切實可行的技術、服務方案、堅持創造最優性價比,滿足客戶利益最大化,正是精誠瑞博的企業宗旨和不懈追求。       創新、誠信、專業...
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迎政策紅利 第三代半導體市場發展一片“藍海”

發布日期: 2022-01-07
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  半導體是一種常溫下電導率在絕緣體至導體之間的物質,也正是這種特殊的性質,讓半導體成為現代工業以及科技產業中被重點關注的材料之一。如今的半導體,已經被集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域所應用,尤其是作為信息處理的器件材料被認為是打開“芯”時代的一把鑰匙。


  隨著物聯網、大數據和人工智能驅動的新計算時代的發展,對半導體器件的需求日益增長,對器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛,第三代半導體市場“顯現”。


  那么,你知道什么是第三代半導體嗎?


  據悉,第一代半導體材料是硅;第二代半導體材料砷化鎵,這是大部分4G通信設備的主要材料;


  而第三代半導體材料是氮化鎵,這是一種充電器最基礎的材料。這三代半導體材料是促進半導體行業發展的主要原料,國內大力支持它們的發展和普及。


  近年來,以碳化硅為代表的第三代半導體開始逐漸受到市場的重視,國際上已形成完整的覆蓋材料、器件、模塊和應用等環節的產業鏈,全球新一輪的產業升級已經開始。


  國家計劃在2021年-2025年期間,把大力支持規劃,發展半導體產業寫入正在制定的“十四五”規劃,并且將在教育、科研、開發、融資、應用等各個領域大力支持發展第三代半導體行業,目的是實現半導體產業的獨立自主。

迎政策紅利 第三代半導體市場發展一片“藍海”

  發展第三代半導體較為重要


  隨著我國電子產業的不斷發展,我國對半導體產品需求愈發迫切。龐大的需求量必然引發龐大的市場,所以我國目前已經成為大的半導體市場,且與半導體有關的產品的需求量增速也超越了平均水平。


  據中國海關數據統計,2019年我國芯片的進口金額為3040億美元,較去年同期減少80億美元,同比下降2.6%。國務院發布的相關數據顯示,中國芯片自給率2019年僅為30%左右。


  5G時代的來臨將促進新基礎設施建設,讓半導體行業等硬核科技成為布局重點。以5G網絡為基礎的“新基建”將成為重點,且信息化建設是提高生產效能的動力。而在未來的日子里,信息化的需求和應用都將得到更為廣泛的重視,半導體行業也將如火如荼的發展,行業市場前景較好。


  因此,實現半導體產業的獨立自主較為重要,我國發布了多個政策加碼半導體行業發展。


  迎政策紅利第三代半導體發展可期


  第三代半導體材料行業是我國重點鼓勵發展的產業,是支撐經濟社會發展和保障國家安全的戰略性和基礎性產業。


  為加快推進第三代半導體材料行業的發展,國家層面先后引發《重點新材料首批次應用示范指導目錄(2019版)》、《國務院關于印發進一步鼓勵軟件產業和集成電路產業發展若干政策的通知》等鼓勵性、支持性政策。


  詳細來講,2016年發布《“十三五”國家科技創新規劃》要求其發展先進功能材料技術,重點是第三代半導體材料;


  2019發布《重點新材料首批次應用示范指導目錄》:關于半導體材料需要的氮化鎵單晶襯底、功率器件用氮化鎵外延片納入目錄;


  2020發布《關于印發新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展若干政策的通知》:在新一代半導體技術領域,結合行業特點推動各類創新平臺建設;第三代半導體企業可享受相關政策優惠;

迎政策紅利 第三代半導體市場發展一片“藍海”

  2021發布的《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠最目標綱要》中:其集成電路領域包括設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發,集成電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、微機電系統(MEMS)等特色工藝突破,先進存儲技術升級,碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發展。


  此外,“十四五”,國家重點研發計劃啟動實施2021年“新型顯示與戰略性電子材料”重點專項,第三代半導體是其重要內容,未來發展可期。


  結語:不難看出,近年來,我國發布的多個政策加碼第三代半導體行業發展,迎政策福利,第三代半導體行業市場“一片藍海”。

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